三星宣告10nmDRAM技术取得突破新型内存的容量与性能或迎来大幅提升

12月17日消息，据The Elec报道，三星与其旗下的三星先进技术研究所合作，成功研发出一款新型晶体管，该晶体管可支持在10纳米以下的制程节点中生产DRAM。

这一突破有望解决移动内存进一步微缩时遭遇的关键物理难题，助力未来设备实现更大的存储容量与更出色的性能表现。

传统DRAM的制程微缩在进入10纳米以下节点后，由于物理极限的限制，正面临着严峻的挑战。

三星这次发布的“高耐热非晶氧化物半导体晶体管”拥有出色的高温稳定性，即便处于摄氏550度的高温环境中，性能也不会出现衰退，能够满足先进制造工艺的需求。

这款晶体管运用了垂直沟道的设计方案，沟道长度仅为100纳米，并且能够和单片CoP DRAM架构实现集成。经过测试，它的漏极电流有着稳定的表现，即便在长期老化测试过程中，也维持了出色的可靠性。

三星方面称，这项技术拟用于未来的0a和0b级DRAM产品，现阶段还处在研究阶段。

预计采用该技术的存储芯片，将助力三星在高密度内存市场维持竞争力，且有望从2026年开始逐步应用到终端设备里。