都想成为NVIDIA的供应商！SK海力士、三星与美光正加速推进16层堆叠HBM的研发

12月29日消息，存储领域的三大巨头SK海力士、三星与美光，目前正加快推进16-Hi HBM内存芯片的研发进程，计划于2026年第四季度开始向NVIDIA供应该产品。

据悉，NVIDIA已向供应商提出需求，期望16-Hi HBM芯片能在2026年第四季度正式交付，以供应其顶级AI加速器使用。

一位业内人士透露：“在12-Hi规格的HBM4之后，英伟达进一步提出了16-Hi的供货需求，所以我们正加急制定开发时间表，性能评估工作最快有望在明年第三季度前启动。”

16-Hi HBM技术目前还未进入商业化阶段，在开发过程中存在不少技术挑战，特别是当堆叠层数增多时，DRAM堆叠的复杂程度会以指数形式增长。

按照JEDEC标准，HBM4的总厚度被限定在775µm，要在这样有限的空间里容纳16层DRAM芯片，就要求晶圆厚度得从现在的50µm缩减到30µm上下，不过这么薄的晶圆在加工过程中特别容易受损。

另外，粘合工艺同样是竞争的核心所在。当前，三星和美光主要运用TC-NCF技术，SK海力士却始终采用MR-MUF工艺。

为了提升堆叠层数，粘合材料的厚度得压缩到10微米以内，而在实现这种极致轻薄后，怎样还能让散热保持有效，成了这三家企业必须攻克的关键难题。

16-Hi被看作是半导体行业的一道分水岭，按照行业规划，下一代HBM5的堆叠层数最多只能到16层，预计到2035年推出的HBM7才会完成20层和24层的堆叠，而后续的HBM8也将停留在24层堆叠的水平。