SK海力士通过整合封装DRAM与NAND，助力AI性能实现进一步提升

作为存储芯片领域的头部企业，SK海力士正加速扩大产能，以应对行业持续攀升的芯片需求。公司近期正布局全新技术，旨在进一步增强移动及边缘设备对AI工作负载的处理效能。

SK海力士把DRAM和NAND集成到单一封装里，以此达成更出色的AI性能。

据多家韩国媒体消息，SK海力士目前正开展新型计算机内存的研发工作，旨在提升本地AI运算的速度。这项被命名为高带宽存储（HBS）的新技术，是此前高带宽闪存（HBF）方案的延伸，它把移动DRAM与NAND闪存组件整合在同一个设备当中，专门为智能手机、平板电脑等移动设备的AI负载提升运行速度而打造。该芯片在垂直方向上最多能够堆叠16层DRAM和NAND，借助独特的垂直导线扇出结构（VFO）来完成层与层之间的互连。

SK海力士此前已在Apple Vision Pro产品中应用VFO DRAM，而HBS技术在此基础上进一步整合了NAND闪存。该公司在2023年发布相关技术时曾着重指出，VFO技术不仅能提升封装效率，还可优化散热表现并实现芯片体积的缩减。相较于传统的弯导线连接方式，VFO技术能够将层间电子传输所需的空间减少4.6倍，整体能效提升4.9%，散热能力提升1.4%，芯片厚度也仅为传统方案的73%。

和SanDisk合作开发的HBF技术需要穿硅通孔（TSV），而HBS则无需这一部件，其制造流程更简化，良品率更高，生产成本也更低，这一特点有助于它在半导体行业得到更广泛的应用。

新型DRAM与NAND堆叠而成的模块将直接和应用处理器（AP）进行共封装，这一设计能明显加快智能手机及SoC终端的数据处理速率。SK海力士这次的技术创新，旨在进一步助力移动端AI性能的提升。尽管该技术的具体实际表现还需要后续检验，但公司打算在2029年到2031年期间正式推出这项技术。不过当前，由于2026年新一代芯片的销量十分火爆，SK海力士的产能已经面临紧张的状况。